Um die Speichertechnik wesentlich zu beschleunigen hat man viele NAND-Flashs vertikal übereinander gestapelt um dadurch kürzere Verbindungen zwischen den Speicherzellen zu erreichen, wodurch sich die Laufzeiten zwischen den einzelnen NAND-Flashs reduzieren. Dies führte zum dreidimensional aufgebauten 3D-NAND-Speicher.
Eine andere Technik wurde von Intel und Micron entwickelt. Mit dieser Technik, die die Bezeichnung 3D XPoint führt, können nichtflüchtige 3D-Speicher gebaut werden, die tausendmal schneller sind als NAND-Flashs. Im Unterschied zur NAND-Flash-Technik, die bei Multi Level Cells ( MLC) mehrere Spannungspegel in einer Speicherzelle speichern kann, arbeitet 3D XPoint nach dem Prinzip des Phasenwechselspeichers, basierend auf Widerstandsänderungen. Gespeichert wird auf Bit-Ebene. Die Speicherzellen, die dreidimensional angeordnet sind, befinden sich an den Schnittpunkten der senkrechten Leitungen. Aktiviert werden sie durch den Strom, der durch die vertikal und horizontal angeordneten Leitungen fließt. Die Speicherzustände zeigen sich im hoch- oder niederohmigen Widerstandsniveau. Sie sind nichtflüchtig und können die Widerstandswerte über lange Zeit halten.
Ebenso wie 3D-NAND-Speicher sind die Speicherzellen von 3D XPoint viellagig übereinander gestapelt. Die Speicherzellendichte ist um ein Vielfaches höher als die von NAND-Flashs.