Eine Barritt-Diode (Barrier Injection Transit Time Diode) ist eine Hochfrequenzdiode für Super High Frequencies ( SHF), vergleichbar der IMPATT-Diode.
Die Barrit-Diode besteht aus einer Halbleiterplatte, auf denen Halbleiterübergänge angebracht sind. Bei Anlegen einer Vorspannung wird einer der Halbleiterübergänge in Durchlassrichtung, der andere in Sperrrichtung geschaltet.
Barritt- Dioden arbeiten in einer Durchgriffsbetriebsart, bei der sich die Verarmungszonen der in Durchlass- und Sperrrichtung geschalteten Übergänge gegenseitig überlappen, wodurch bereits bei geringsten Änderungen der Diodenspannungen der Diodenstrom überproportional ansteigt. Der dynamische negative Widerstand der Barritt-Diode steigt in einem bestimmten Frequenzbereich mit der Phasenverzögerung des HF-Signals. Der Effekt ist auf die Phasenverschiebung zwischen dem elektrischen HF-Feld und dem leitenden Strom zurückzuführen.