Extremes Ultraviolett- Licht (EUV) ist extrem kurzwelliges Licht mit einer Wellenlänge von 10 nm bis 20 nm. Diese extrem kurze Wellenlänge wird in der optischen Lithografie, der Extreme Ultraviolet Lithography ( EUVL), für die Herstellung feinster Chipstrukturen eingesetzt.
Bei der klassischen Chipherstellung wurden lithografische Vorlagen mit Deep Ultraviolet ( DUV) belichtet, einem ultravioletten Licht mit Wellenlängen von 193 nm oder 248 nm. Zur Herstellung von feineren Chipstrukturen mit höherer Integrationsdichte wird Licht mit wesentlich kürzeren Wellenlängen eingesetzt. Für diese Anwendung ist das extrem kurzwellige UV-Licht prädestiniert. Da EUV- Strahlung von allen Materialien, sogar von Luft absorbiert wird, können die lithografischen Prozesse nur im Vakuum durchgeführt werden.
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Erzeugt wird das für die EUV-Lithografie benötigte EUV-Licht von heißem ionisiertem Plasma, und das bei Temperaturen von ca. 200.000 °C. Dabei wird das Gas von Hochleistungslasern bestrahlt. Während mit den derzeitigen Technologien mit UV- Lasern Strompfadstrukturen von 45 nm hergestellt werden können, können mit der EUV-Strahlung Strompfade mit Strukturbreiten von unter 10 nm realisiert werden. Noch schmalere Strukturbreiten sind mit Strahlbündelung mittels numerischer Apertur möglich. Entsprechende lithografische Systeme erreichen Strukturbreiten von unter 2 nm.