Galliumarsenid (GaAs) ist ein amorpher Verbindungshalbleiter, der zu der Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter zählt. Galliumarsenid hat eine Bandlücke von 1,4 Elektronenvolt ( eV) und wird in den verschiedensten höchstfrequenten Halbleiter-Bauelementen, in Dünnschichtsolarzellen und in Infrarot-LEDs eingesetzt.
Da sich Galliumarsenid durch ein extrem schnelles Schaltverhalten und eine geringe Leistungsaufnahme auszeichnet, findet man es in den Heterojunction Bipolar Transistors ( HBT) von ultraschnellen Schaltkreisen für die optische Übertragungstechnik, ebenso in High Electron Mobility Transistors ( HEMT), mit denen Mikrowellen verstärkt werden, in rauscharmen Verstärkern ( LNA), als HF-Leistungsverstärkern in Basisstationen und in kleinsten Monolithic Microwave Integrated Circuits ( MMIC). Galliumarsenid kann allerdings nicht so hohe Spannungen verarbeiten wie Galliumnitrid ( GaN).
Weiterhin wird monokristallines Galliumarsenid in der Photovoltaik in Dünnschichtsolarzellen eingesetzt und zeichnet sich durch einen Wirkungsgrad von 25 % aus. Ein weiteres Einsatzgebiet für Galliumarsenid sind Bauelementen für die Lichtemission von Infrarotlicht, so beispielsweise Halbleiterlaser, in denen das Substrat aus Gallium besteht.