IGBT high power module (IHM)

IGBT High-Power Module (IHM) sind kompakte Module aus Leistungshalbleitern, die als Hochleistungsschalter in Wechselrichtern, der Leistungselektronik sowie der Energie- und HGÜ-Technik eingesetzt werden.

IHM-Module sind ausgesprochen robust und zeichnen sich durch eine hohe Zuverlässigkeit aus. Ihr Temperaturbereich liegt zwischen -50 °C und 150 °C. es gibt sie in zwei Leistungsklassen: IGBT High Voltage (IHV) und IGBT Low Voltage (ILV).

IGBT-Modul (IHV) für 4,5 kV, Foto: Infineon

IGBT-Modul (IHV) für 4,5 kV, Foto: Infineon

Die Module beider Leistungsklassen - ILV und IHV - gibt es als Halbbrücken, Einfachschalter, Chopper- und Dioden-Module. Sie unterscheiden sich in den Spannungs- und Stromwerten und in der Gehäuse-Isolation. Während die ILV-Module eine Gehäuse-Isolation von bis zu 6 kV hat, ist die Isolationsfestigkeit beim IHV-Modul 10,4 kV. Das ILV-Modul kann im Spannungsbereich 1,2 kV und 3,3 kV eingesetzt werden, während das IHV-Modul bis 6,5 kV eingesetzt und Ströme bis zu 3,6 kA schalten kann.

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Informationen zum Artikel
Deutsch:
Englisch: IGBT high power module - IHM
Veröffentlicht: 07.04.2015
Wörter: 141
Tags: Aktive Bauelemente
Links: insulated gate bipolar transistor (IGBT), Leistungshalbleiter, Wechselrichter, Leistungselektronik, Home-Gateway
Übersetzung: EN
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