Ionensensitive Feldeffekttransistoren (ISFET) sind Sensoren für chemische Lösungen. Sie basieren darauf, dass sich die elektrische Leitfähigkeit des Feldeffekttransistors ( FET) durch den pH-Wert von chemischen Lösungen ändert.
Generell ist der Strom in einem Feldeffekttransistor abhängig von dem Potentialunterschied zwischen Source und Drain und der am Gate liegenden Spannung. Dieser Strom kann durch Ladungsträger auf der Gate- Elektrode beeinflusst werden, wobei es nicht entscheidend ist, ob es sich um elektrische oder elektrochemische Ladungsträger handelt. Beim ISFET wird an der Gate-Elektrode eine ionenempfindliche Schicht aufgebracht, die in die zu messende chemische Flüssigkeit getaucht wird. Das entstehende Potential ist abhängig von der Ionenkonzentration und sorgt über die ionensensitive Schicht im ISFET für Stromfluss. Als ionensensitives Material werden Aluminiumoxid ( Al2O3) oder Siliziumverbindungen eingesetzt.