Ein MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) gehört zur Gruppe der MOSFETs. Er ist ähnlich aufgebaut wie ein Junction Field-Effect Transistor ( JFET). Der Unterschied zwischen beiden besteht darin, dass der MESFET anstelle des pn-Übergangs einen Schottky-Übergang mit kapazitätsarmer Metallelektrode benutzt.
MESFETs werden aus Verbindungshalbleitern wie Galliumarsenid ( GaAs), Indiumphosphid ( InP) oder Siliziumcarbid ( SiC) hergestellt, habem durch den Metall- Halbleiter-Übergang eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit und zeichnen sich durch besonders kurze Schaltzeiten aus. Sie sind allerdings auch teurer als MOSFETs oder Junction Field-Effect Transistors (JFET). Sie können im Mikrowellenbereich bis zu ca. 50 GHz in in Monolithic Microwave Integrated Circuits ( MMIC), High Power Amplifiern ( HPA) von Satellitenübertragungssystemen oder in Radarsystemen eingesetzt werden.
Der MESFET unterscheidet sich im Aufbau von normalen Feldeffekttransistoren ( FET) dadurch, dass sich unterhalb des Gate kein Isolator befindet. Der MESFET ist selbstleitend und wird mit einer Steuerspannung gesteuert. Bei einer Steuerspannung von 0 V fließt bereist ein Drainstrom. Bei negativer Steuerspannung verbreitert sich die Raumladungszone und unterbricht dadurch den Stromfluss zur Drain.