MISFET (metal insulator semiconductor field effect transistor)

MOSFETs gibt es in verschiedenen Varianten wie den Metal Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET), Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor (MISFET), Junction Field-Effect Transistor (JFET) oder Isulated Gate FET (IGFET).

Beim MISFET sind die Source und Drain über einen Halbleiter miteinander verbunden, und das Gate ist metallisch und durch einen Isolator von den anderen Elektroden separiert. Dieser Aufbau wird auch als High-k Metal Gate (HKMG) bezeichnet, weil die Dielektrika eine höhere Permittivität haben als Siliziumdioxid (SiO2) und damit zu den High-k-Dielektrika gehören.

Durch Anlegen einer Spannung an das Gate verändert sich die Verarmungszone, wodurch mehr oder weniger Elektronen mit Fehlelektronen (Löcher) rekombinieren. Je nach Steuerspannung kann das Leitungsband des Bändermodells sich mehr oder weniger stark hin zum Valenzband ausbreiten. Was dazu führt, dass der MISFET einen Stromfluss passieren lässt oder ihn sperrt.

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Deutsch:
Englisch: metal insulator semiconductor field effect transistor - MISFET
Veröffentlicht: 16.05.2014
Wörter: 141
Tags: Aktive Bauelemente
Links: Dielektrikum, Elektrode, High-k-Dielektrikum, JFET (junction field-effect transistor), Leitungsband