Resistive Random Access Memories (RRAM oder ReRAM) sind nichtflüchtige Speicher, Non-Volatile Memories ( NVM), die auf der Widerstandsänderung von dielektrischen Materialien basieren.
Durch Anlegen einer Spannung kann der spezifische Widerstand dieser Materialien zwischen guter und schlechter Leitfähigkeit geändert werden, vergleichbar der Funktion eines Memristors. Bei den in RRAMs benutzten Materialien handelt es sich um Metalloxide wie Nickeloxid (NiO) oder Titandioxid ( TiO2), um Halogenide aus Silber, Antimon, Tellur oder Germanium oder auch um organische Substanzen. Der Aufbau von RRAMs kann denen anderer Speicherzellen entsprechen, bei denen zwischen den Kreuzungspunkten von Bitleitung und Wortleitung die RRAM- Zellen liegen.
RRAMs sind extrem stromsparend und haben kürzere Schaltzeiten als NAND-Flashs. Diese liegen unter 10 ns. RRAMs bieten sich wegen ihrer Eigenschaften als Speicher für Sensoren in der Industrie und Automotive-Technik an.