SoI (silicon on insulator)

Silicon on Insulator (SoI) ist eine Chip-Technologie mit einer speziellen Isolationsschicht aus Siliziumoxid, die in das Siliziumsubstrat eingeberttet ist. Die einzelnen Bauelemente auf dem Chip sind durch Oxid-Isolation voneinander isoliert.


Jeder einzelne Transistor eines SoI-Chips befindet sich auf einer vollständig isolierten Fläche. Zwischen den einzelnen Bauelementen sind schmale Stege, die benachbarte Bauelemente voneinander isolieren und dadurch unerwünschte gegenseitige Beeinträchtigungen und Leckströme verhindern.

Verfahrenstechnisch wird bei der SoI-Technik auf dem Wafer eine dünne Silizium-Oxid-Schicht (SiO2) aufgebracht, auf der sich wiederum die elektronischen Bauelemente befinden.

Aufbau 
   der SOI-Technologie

Aufbau der SOI-Technologie

Die SoI-Technologie hat den Vorteil, dass sie unempfindlicher gegenüber Störstrahlungen und gegenseitige Beeinträchtigung der aktiven Bauelemente ist, als andere Chip-Technologien. Die Transistoren haben eine geringere Kapazität und können dadurch schneller geschaltet werden. Außerdem erzeugen SoI-Chips geringere Verlustleistungen.

Silicon on Insulator (SOI), Foto: IBM

Silicon on Insulator (SOI), Foto: IBM

Es gibt ein SoI-Konsortium in dem sich viele Chip-Hersteller zusammengeschlossen haben. Ziel des Konsortiums ist es, die SoI-Fertigungstechnik zu promoten.

Die WEiterentwicklung der SoI-Technologie führt zu Fully Depleted Silicon on Insulator (FD-SoI). Diese Technik arbeitet mit Silizium-Kanalbereichen zwischen Drain und Source von 10 nm bis 30 nm. Wegen der extrem geringen Abmessungen braucht dieser Kanalbereich nicht dotiert zu werden.

Informationen zum Artikel
Deutsch:
Englisch: silicon on insulator - SoI
Veröffentlicht: 15.12.2020
Wörter: 198
Tags: Packages, Sockel
Links: Chip, Dotierung, Kapazität, Leckstrom, Silizium