Silizium-Oszillator

Silizium-Oszillatoren (Si-Oszillatoren) bieten sich als preiswerte Alternative zu Quarzoszillatoren an. Sie haben einige Vorteile gegenüber klassischen Quarzoszillatoren, die vor allem in der Produktionstechnik liegen, da sie weniger Platz einnehmen und direkt auf dem Wafer integriert werden können. Zudem sind sie unempfindlich gegen Hitze, Stoß und Vibration und haben einen wesentlich geringeren Energieverbrauch.

Von der Realisierung her unterscheidet man bei den Silizium-Oszillatoren zwei Technologien: die klassische Oszillatorschaltung, bestehend aus Transistoren, Widerständen, Induktivitäten und Kapazitäten, wobei ein LC-Glied frequenzbestimmend ist, und die mikrosystemtechnische Technologie aus MEMS-Resonatoren. Beide Technologien können unmittelbar auf dem Chip integriert werden.

1,5 mm kleiner Silizium-Oszillator von SiTime, Foto: pr-com.de

1,5 mm kleiner Silizium-Oszillator von SiTime, Foto: pr-com.de

Was die Eigenschaften von Si-Oszillatoren betrifft, so ist eines der wesentlichen Merkmale der geringe Energieverbrauch, der durchaus weniger als 1 µA betragen kann. Die Stabilität ist relativ hoch und kann im Temperaturbereich zwischen -40 und +85 Grad Celsius Werte zwischen 5 ppm und 20 ppm annehmen. Gleiches gilt für das Phasenrauschen, das vergleichbar oder besser ist als das von Quarzoszillatoren.

Informationen zum Artikel
Deutsch: Silizium-Oszillator
Englisch: silicon oscillator
Veröffentlicht: 17.03.2015
Wörter: 165
Tags: Analogschaltungen
Links: Celsius, Chip, Induktivität, Kapazität, MEMS-Resonator