V-NAND-Flashs sind Speicherchips bei denen die Speicherzellen in vielen vertikalen Lagen angeordnet sind.
Durch die Stapelbauweise der Chips übereinander werden die Speicherbausteine äußerst kompakt und haben durch die kurzen Bondierungen zwischen den einzelnen Lagen, eine relativ hohe Speichergeschwindigkeit. Mit dieser Technik können 32-lagige 3D-Speicherchips mit einer Speicherkapazität von 2 Terabyte ( TB) realisiert werden.
In der V-NAND-Technik können Solid-State-Drives ( SSD) mit Speicherkapazitäten von Petabyte auf kleinen Steckkarten im M.2-Formfaktor oder in Next Generation Small Form Factor ( NGSFF) entwickelt werden. Die mit diesen Bauformen erzielbaren Datenraten liegen beim NVM-Express um ein Vielfaches höher als bei Serial ATA ( SATA).