Wide-Bandgap-Halbleiter

Wide Bandgap Semiconductors (WBG) sind Halbleiter mit großer Bandlücke. Bei diesen Verbindungshalbleitern liegt der Energieabstand der Bandlücke zwischen Valenzband und Leitungsband zwischen 2 Elektronenvolt ( eV) und 4 eV und darüber.

Zu den bekanntesten WBG- Halbleitern gehören Siliziumcarbid ( SiC) als IV-IV-Verbindungshalbleiter mit einem Energieabstand von 3,1 eV, Galliumnitrid ( GaN) mit einer Bandlücke von 3,4 eV und Indiumgalliumnitrid ( InGaN) als III-V-Verbindungshalbleiter mit einem Energieabstand zwischen 0,7 eV und 3,37 eV.

WBG-Halbleiter zeichnen sich durch eine hohe Durchbruchspannung und einen hohen Temperaturbereich aus. Sie haben geringe Verluste und können Spannungen von mehreren Kilovolt und höchste Frequenzen verarbeiten. Bedingt durch diese Eigenschaften eignen sich WBG-Halbleiter für Leistungshalbleiter in der Leistungselektronik, für rauscharme Verstärker sowie für Mikrowellen- und HF-Verstärker. Darüber hinaus für Leuchtdioden, die in der Automotive-Technik und der Beleuchtungstechnik eingesetzt werden.

Reklame: Alles rund um Elektronische Bauelemente.
Informationen zum Artikel
Deutsch: Wide-Bandgap-Halbleiter
Englisch: wide bandgap - WBG
Veröffentlicht: 20.08.2021
Wörter: 135
Tags: Aktive Bauelemente
Links: Halbleiter, Bandlücke, Verbindungshalbleiter, Leitungsband, Elektronenvolt
Übersetzung:
Sharing: