Vor Jahren waren in Schaltanwendungen Bipolartransistoren in mehreren Belangen MOSFETs unterlegen. Dank neuerer Entwicklungen und erheblicher Verbesserungen des Sättigungswiderstands und des Leistungsspektrums konnten die Einsatzbereiche von Bipolartransistoren wesentlich erweitert werden. So können neuere Medium-Power-Bipolartransistoren in Schaltkreisen in Mobilgeräten, in Geräten der Unterhaltungselektronik und der Kommunikationstechnik eingesetzt werden. Sie zeichnen sich durch hohe Leistung und geringe Schaltverluste aus.
Diese Entwicklung wurde durch die zunehmende Homogenisierung der Stromverteilung in den Halbleitern erreicht, durch die die Sättigungswiderstände reduziert wurden. Diese neu entwickelten bipolaren Transistoren werden als BISS-Transistoren bezeichnet, was für Breakthrough in Small Signal, steht.
Medium-Power-Bipolartransistoren sind bipolare Transistoren mit ultra-niedrigen Steuerspannungen, geringer Kollector-Emitter-Sättigungsspannung und niedrigem Kollektor-Emitter-Widerständen, die nur etwa 10 Milli- Ohm betragen. Sie haben niedrige Verlustleistungen, einen geringen Verbrauch und bei hohen Kollektorströmen eine hohe Stromverstärkung. Neben den genannten gibt es noch die für Schaltanwendungen optimierten BISS-Transistoren, die sich durch Schaltzeiten von etwa 100 ns auszeichnen.