Ein Ferro FET (FeFET) kann als MOSFET betrachtet werden, bei dem die Metalloxidschicht zwischen Gate und Drain und Source durch eine ferroelektrische Schicht ersetzt wird. FeFETs werden für ferroelektrische Speicherzellen benutzt, bei denen die logische Information in den zwei möglichen, nichtflüchtigen Polarisationszuständen des ferroelektrischen Materials gespeichert wird.
Vom Aufbau her besteht eine ferroelektrische Speicherzelle mit FeFETs typischerweise aus einem dünnen ferroelektrischen Dielektrikum, das zwischen zwei leitenden Elektroden angebracht ist. Die Speicherzelle entspricht somit einer 1T1C-Speicherzelle (ein Transistor, ein Kondensator). Die Elektroden können aus zwei sich kreuzenden Elektronenstreifen - der Bitleitung (BL) und der Wortleitung (WL) - bestehen. Ein an den Ferro- Speicher angelegter Spannungspuls bestimmt den Polarisationszustand. Der Leseprozess verändert den Polarisationszustand nicht.
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Beim Schreibvorgang wird eine Spannung zwischen Gate und Source gelegt, deren Spannung höher ist als die Koerzitivkraft des ferroelektrischen Materials, worauf sich die Polarisationsrichtung ändert.