Low Pressure Chemical Vapour Deposition (LPCVD) ist ein Beschichtungsverfahren, das im Gegensatz zu den anderen CVD-Verfahren, Chemical Vapour Deposition, mit Unterdruck arbeitet.
Das LPCVD-Verfahren wird zur Herstellung von dünnsten Siliziumschichten aus Siliziumnitrid oder Siliziumoxinitrid eingesetzt. Der Vorteil des LPCVD-Verfahrens liegt in der Dichte und der gleichmäßigen Verteilung der Beschichtung. Der LPCVD- Prozess wird bei einer Temperatur von 900 °C ausgeführt.