phase change RAM (PRAM)

Ein Phase Change RAM (PCRAM oder PRAM) ist ein Random Access Memory (RAM) als Phasenwechselspeicher ( PCM). Es ist ein nichtflüchtiger Speicher, dessen Speicherzellen auf der Zustandsänderung des elektrischen Widerstands des Speichermaterials basieren.

Aufbau einer Phasenwechsel-Speicherzelle (PCM)

Aufbau einer Phasenwechsel-Speicherzelle (PCM)

PRAMs sind besser skalierbar als alle anderen Halbleiterspeichertechnologien und bieten die kurzen Zugriffszeiten von RAMs und die nichtflüchtigen Eigenschaften von Flash-Speichern. Da sich PRAMs neu beschreiben lassen, ohne dabei die bisher akkumulierten Daten zuerst löschen zu müssen, haben sie gegenüber den Flash-Speichern ein Vielfaches deren Geschwindigkeit. Darüber hinaus ist auch die Lebensdauer etwa zehnmal so hoch, wie die der Flash-Speicher.

PRAMs weisen aufgrund der Halbleiterstrukturen mit weniger als `0,05 µm^2` die kleinste Größe einer Speicherzelle auf.

Informationen zum Artikel
Deutsch:
Englisch: phase change RAM - PRAM
Veröffentlicht: 22.01.2022
Wörter: 119
Tags: RAMs
Links: Phase, random access memory (RAM), Phasenwechselspeicher, physical connection management (FDDI) (PCM), Speicher
Übersetzung: EN
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