Rapid Thermal Processing (RTP) ist eine Technologie für die thermische Verarbeitung von Wafern. Bei der RTP-Technologie wird der gesamte Wafer gleichmäßig temperiert, während die Prozesstemperatur hochgefahren wird.
Die RTP-Technik sorgt dafür, dass implantierte Dotierstoffe aktiviert werden oder sich bestimmte Eigenschaften der Dotierstoffe ändern, beispielsweise deren Leitfähigkeit.
Zu Beginn des Herstellungsprozesses können Halbleiterbauelemente längere Expositionszeiten von bis zu 90 Sekunden bei hohen Temperaturen vertragen. Durch eine gleichmäßige Temperierung beim RTP-Verfahren ist auch die Ausdehnung des gesamten Wafer gleichmäßig, wodurch Verwerfungen im Wafer vermieden werden. Mit dem RTP-Verfahren und der damit verbundenen isothermen Erwärmung kann die Temperatur extrem schnell hochgefahren werden. Die Werte liegen bei einem Vielfachen gegenüber dem klassischen Heizöfen ist.