Eine Triple Level Cell (TLC) ist eine Speicherzelle eines Flash-Speichers. Da eine TLC- Zelle in einer Speicherzelle drei Bits speichert, hat sie eine vierfach höhere Speicherdichte als eine Single Level Cell ( SLC) und eine doppelt so hohe wie eine Multi Level Cell ( MLC).
Die Speicherdichte von Triple Level Cells (TLC) liegt bei 32 Gigabits bis 512 Gigabits pro Chip. Sie arbeiten mit acht diskreten Ladungsniveaus des Floating-Gate. Das bedeutet, dass der Ladezustand und dessen Auslesung äußerst kritisch sind und entsprechend aufwendig gestaltet werden müssen. So liegen die Anforderungen für die Fehlerkorrektur mit 24 Bit bis 72 Bit um ein Vielfaches höher als die von Single-Level- und Multi-Level- Zellen.
Der Erhalt der gespeicherten Daten ist ebenfalls begrenzt und liegt bei ca. 6 Monaten, wohingegen Daten in der SLC-Technologie bis zu 10 Jahre und in der MLC-Technologie bis zu einem Jahr gespeichert werden können. Die Löschzyklen sind mit 500 ebenfalls wesentlich niedriger als die der anderen Technologien.
Auf eine noch höhere Speicherdichte bringt es die Quadruple Level Cell ( QLC), die mit sechzehn unterschiedlichen Spannungspegeln arbeitet.