MuGFET (multiple gate field effect transistor)

Multiple Gate Field Effect Transistor (MuGFET) ist eine spezielle Ausführung an MOSFETs, mit mehr als einem Gate. Ein bekannter Vertreter dieser Mehrfach-Gate-Feldeffekttransistoren ist der FinFET mit zwei oder drei Gates.


Die einzelnen Gates eines Mehrfach-Gates arbeiten elektrisch so wie ein einzelnes Gate. Sie umgeben den Ladungsträgerkanal zwischen Source und Drain an drei Seiten und haben dadurch einen unmittelbaren Einfluss auf die Ladungssteuerung. Außerdem können mit den Multigate-Transistoren kleinere Mikroprozessoren und kleinste Speicherzellen in CMOS-Technologie hergestellt werden.

Aufbau des Doppelgate-FET, FinFET

Aufbau des Doppelgate-FET, FinFET

MuGFETs können wesentlich kleiner aufgebaut werden als planare Transistoren, sie arbeiten mit geringeren Versorgungsspannungen, benötigen weniger Energie, haben kürzere Schaltzeiten und erreichen höhere Rechenleistungen. Eingesetzt werden sie in Logiken von Mikroprozessoren und in SRAMs.

Was die Entwicklung von MuGFETs betrifft, so beschäftigen sich alle namhaften Chip-Hersteller mit dieser Technologie, die in Strukturbreiten von 45 nm, 32 nm und 22 nm hergestellt werden kann. Die Produktion von MuGFETs stellt hohe Anforderungen an Lithografen und Prozess-Ingenieure, die es mit verschiedensten Implantationen und Strukturierungen zu tun haben, ebenso wie mit der Einstellung der Schwellenspannung.

Zu den Multigate-Technologien gehören u.a. FinFETs mit zei Gates, Tri-Gate-Transistoren und Gate-all-Around-FETs (GAA-FET) mit zwei oder vier Gates.

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Informationen zum Artikel
Deutsch:
Englisch: multiple gate field effect transistor - MuGFET
Veröffentlicht: 21.12.2012
Wörter: 196
Tags: Aktive Bauelemente
Links: CMOS (complementary metal oxide semiconductor), FET (field effect transistor), FinFET, Logik, µP (Mikroprozessor)