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active matrix OLED : AMOLED Aktivmatrix-OLEDs (AMOLED) sind Dünnschicht-Displays. Sie haben bessere technische Eigenschaften als Passivmatrix-OLEDs, sind aber komplizierter herzustellen, weil jede einzelne OLED eine eigene Str ... weiterlesen |
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Abstimmbarer Laser tunable laser Abstimmbare Laser, Tunable Laser, werden im Wellenlängenmultiplex (WDM) und in Dense Wavelength Division Multiplexing (DWDM) als Ersatzlaser eingesetzt. In der DWDM-Technik wird mit hundert und mehr ... weiterlesen |
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breakthrough in small signal : BISS Vor Jahren waren in Schaltanwendungen Bipolartransistoren in mehreren Belangen MOSFETs unterlegen. Dank neuerer Entwicklungen und erheblicher Verbesserungen des Sättigungswiderstands und des Leistun ... weiterlesen |
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Barritt diode Barritt-Diode Eine Barritt-Diode (Barrier Injection Transit TimeDiode) ist eine Hochfrequenzdiode für Super High Frequencies (SHF), vergleichbar der IMPATT-Diode. Die Barrit-Diode besteht aus einer Halbleiterp ... weiterlesen |
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breakover diode : BoD Breakover-Diode Eine Breakover-Diode (BoD) entspricht funktional einer Suppressordiode, es ist ein Überspannungsableiter. Eine BoD-Diode hat eine feste Durchbruchspannung von einigen hundert Volt bis zu einigen K ... weiterlesen |
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charge coupled device : CCD CCD-Sensor Charge Coupled Devices (CCD) sind ladungsgekoppelte Halbleiter-Arrays, die Lichtsignale in elektrische Signale wandeln. CCD-Komponenten werden als Bildsensoren in Digitalkameras, digitalenVideokamer ... weiterlesen |
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correlated color temperature : CCT Die korrelierte Farbtemperatur, Correlated Color Temperature (CCT), beschreibt die relative Farbtemperatur einer weißen Lichtquelle. Die Abstufungen von Weiß reichen von Kaltweiß über Neutralweiß bi ... weiterlesen |
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CMOS-Sensor CMOS sensor Der CMOS-Sensor ist ein Bildsensor, der in Digitalkameras und Camcordern eingesetzt wird. Ebenso wie CCD-Sensoren sind CMOS-Sensoren lichtempfindliche Bauteile, die das auf sie fallende Licht in Spa ... weiterlesen |
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carrier stored trench-gate bipolar transistor : CSTBT Seit der Einführung der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) wurden diese ständig weiterentwickelt, sie wurden kompakter und leistungsfähiger. Der Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor ( ... weiterlesen |
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direct copper bonding : DCB Direct CopperBonding (DCB) steht für direkte Kupferbeschichtung. Es ist ein Verfahren mit dem Keramik mit Kupfer beschichtet wird und bei dem das Kupfer fest mit der Keramik verbunden ist. Bei der ... weiterlesen |
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DFB-Laser distributed feedback laser : DFB Ein Distributed FeedbackLaser (DFB) ist ein kantenemittierender Laser, ein Edge Emitting Laser (EEL). Er zeichnet sich durch seine extrem hohe spektrale Reinheit aus, was sich in einer sehr geringen ... weiterlesen |
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diode alternating current switch : DIAC Der DIAC (DiodeAlternating CurrentSwitch) ist ein bidirektionaler Halbleiterschalter zum Schalten von niedrigen Strömen. Es handelt sich um eine dreischichtige Diode, üblicherweise PNP, mit einem ... weiterlesen |
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diode outline : DO Das DO-Package, DO steht für Diode Outline, ist ein standardisiertes Gehäuseformat für Dioden. Es ist zylindrisch aufgebaut, besteht aus Glas, Plastik oder Metall und wird für Kleinsignal- und für L ... weiterlesen |
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Darlington-Transistor darlington pair Beide Bezeichnungen, die des Darlington-Transistors als auch die der Darlington-Schaltung sind korrekt, weil es sich um ein elektronisches Bauelement oder um eine elektronische Schaltung handelt, di ... weiterlesen |
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Dreifarbige LED tri-color LED Dreifarbige Leuchtdioden bestehen aus drei unifarbenen LEDs, die in einem Gehäuse untergebracht sind. Normalerweise sind es die FarbenRot (R), Grün (G) und Blau (B). Das hat den Sinn, dass man dur ... weiterlesen |
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electron injection layer : EIL Der Electron Injection Layer (EIL) ist eine von mehreren Schichten einer OLED. Die Elektroneninjektions-Schicht unterstützt die Elektroneninjektion von der Kathode in die organische Schicht. Der Tra ... weiterlesen |
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Elektrolumineszenz-Folie : EL-Folie electroluminescence : EL Elektrolumineszenz ist ein Phänomen bei dem bestimmte Materialien bei Anlegen eines elektrischen FeldesLicht emittieren. Das Material wird durch die elektrischen Feldlinien angeregt was dazu führt, da ... weiterlesen |
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emission layer : EML Die Lichtemission von OLEDs basiert auf Elektrolumineszenz. Wird an eine OLED eine Durchlassspannung gelegt, werden als Ladungsträger Fehlelektronen (Löcher) und Elektronen eingespeist. Diese injizi ... weiterlesen |
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electron multiplier tube : EMT Sekundärelektronenvervielfacher : SEV Sekundärelektronenvervielfacher (SEV) nutzten den Effekt, dass bestimmte Materialen beim Auftreffen von Elektronen Sekundärelektronen emittieren. Je nach Material, Beschleunigungsspannung und Eintri ... weiterlesen |
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electron transport layer : ETL Elektronenleitungsschicht Der Electron Transport Layer (ETL) ist eine von mehreren Schichten, aus denen OLEDs aufgebaut sind. Die Elektronenleitungsschicht liegt vor der Kathode und leitet die vom Electron Injection Layer (E ... weiterlesen |
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field effect transistor : FET Feldeffekttransistor Der Feldeffekttransistor (FET) wurde bereits 1947 von den amerikanischen Physikern Bardeen und Shockley entwickelt. Feldeffekttransistoren unterscheiden sich wesentlich von den bipolaren Transistore ... weiterlesen |
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flexible OLED : FOLED Ein flexible Organic Light Emitting Diode (FOLED) ist ein OLED-Display, das auf flexibles Basismaterial aufgebracht ist. Das kann ein transparenter Film, biegsames Plastik oder eine metallisierte Fo ... weiterlesen |
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FPL-Laser fabry perot laser : FPL Aufbau des Fabry-Perot-Lasers Fabry-Perot-Laser (FPL) sind Laserdioden, die ihre maximale Leistung bei Wellenlängen von 1.300 nm haben. Die spektrale Breite ihrer Strahlung liegt bei 7 nm. Fabry-P ... weiterlesen |
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fixed pattern noise : FPN Fixed Pattern Noise (FPN) ist ein spezielles Rauschmuster von Bildsensoren, das bei längeren Belichtungszeiten sichtbar wird. Dieses räumlich bedingte Grundrauschen wird durch das unterschiedliche A ... weiterlesen |
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fast recovery diode : FRD Eine Fast RecoveryDiode (FRD) ist eine Diode mit PN-Übergang, die extrem kurzzeitig zwischen Durchlass- und Sperrbetrieb umschalten kann. Bei diesen Dioden, zu denen auch Ultra Fast Recovery Diodes ... weiterlesen |
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ferroelectric field effect transistor : FeFET Ein Ferro FET (FeFET) kann als MOSFET betrachtet werden, bei dem die Metalloxidschicht zwischen Gate und Drain und Source durch eine ferroelektrische Schicht ersetzt wird. FeFETs werden für ferroele ... weiterlesen |
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FinFET FinFET FinFETs gehören zu der Gruppe der Multiple Gate Field Effect Transistors (MuGFET), einer Gruppe von Feldeffekttransistoren mit mehreren Gates, einer Technik, die federführend von IBM und Motorola en ... weiterlesen |
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Fotodetektor photodetector : PD Unter einem Fotodetektor (PD) versteht man in der Lichtwellenleitertechnik das Empfangselement, mit dem das übertragene Licht in elektrische Signale gewandelt wird. Man unterscheidet dabei zwischen ... weiterlesen |
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Fototransistor photo transistor Der Fototransistor basiert ebenso wie die Fotodiode auf dem Photoeffekt. Dieser Effekt bewirkt, dass sich die Eigenschaften einer Halbleiterstrecke bei Lichteinfall durch das Aufprallen von Photonen ... weiterlesen |
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gate turn-off thyristor : GTO GTO-Thyristor GTO-Thyristoren (Gate Turn-Off Thyristor) sind Leistungs-Schaltthyristoren. Sie sind wie normale Thyristoren als Vierschicht-Halbleiter aufgebaut, allerdings haben die einzelnen positiv und negativ ... weiterlesen |
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Gaslaser gas laser Ein Gaslaser ist ein Laser, dessen Verstärkungsmedium ein Gas ist. Die von Gaslasern emittierten Wellenlängen haben eine hohe Strahlqualität. Ihre Leistungen sind abhängig von dem benutzten Gasen un ... weiterlesen |
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heterojunction bipolar transistor : HBT HBT-Transistor Der Heterojunction BipolarTransistor (HBT) ist ein verbesserter Bipolar Junction Transistor (BJT), der höchste Frequenzen bis zu mehreren hundert Gigahertz (GHz) verarbeiten kann. Beim Heterojunc ... weiterlesen |
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high electron mobility transistor : HEMT HEMT-Transistor Für die Verstärkung von Mikrowellen werden besonders rauscharme Transistoren benötigt. Der High Electron Mobility Transistor (HEMT) ist ein solcher Feldeffekttransistor (FET), der auch als Heterojun ... weiterlesen |
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hole injection layer : HIL Der Hole Injection Layer (HIL) ist eine von mehreren Schichten von selbstleuchtenden Organic Light Emitting Diodes (OLED). Die HIL-Schicht ist direkt auf der Anode aufgebracht, der Ladungstransport ... weiterlesen |
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hole transport layer : HTL Lochleitungsschicht Organic Light Emitting Diodes (OLED) sind schichtweise aufgebaut. Die Schichten einer OLED sind für die Injizierung und den Transport der Ladungsträger zuständig. Wie bei Halbleitern dienen als Ladu ... weiterlesen |
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Halbleiterlaser semiconductor laser Halbleiterlaser sind Festkörperlaser, deren Resonanzkörper aus Aluminium-, Gallium- und Indium-Verbindungen bestehen. Ihre Lichtemission basiert auf ihrer direkten Bandlücke, wohingegen Halbleiter w ... weiterlesen |
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Hochspannungs-IC high-voltage integrated circuit : HVIC High-Voltage Integrated Circuits (HVIC) sind monolithische Hochspannungs-ICs für Spannungen von über 500 V. Diese integrierten Schaltungen werden in der Motorsteuerung, in Treiber-Schaltungen, Schal ... weiterlesen |
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insulated gate bipolar transistor : IGBT Insulated Gate BipolarTransistors (IGBT) sind Leistungshalbleiter, die in der Leistungselektronik, Energie- und HGÜ-Technik eingesetzt werden. Sie wurden 1979 erstmals vorgestellt und haben sich z ... weiterlesen |
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integrated gate commutated thyristor : IGCT IGCT-Thyristor Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT) sind Schaltkomponenten der Leistungselektronik. Ein IGCT-Thyristor entspricht funktional dem GTO-Thyristor, Gate Turn Off. Es ist ein steuerbarer Leistun ... weiterlesen |
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isolated gate FET : IGFET Der Isolated Gate FET (IGFET) unterscheidet sich von anderen Feldeffekttransistoren dadurch, dass er eine isolierende Schicht zwischen Gate und dem Source-Drain-Kanal hat. Die Leitfähigkeit des Stro ... weiterlesen |
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IGBT high power module : IHM IGBT High-Power Module (IHM) sind kompakte Module aus Leistungshalbleitern, die als Hochleistungsschalter in Wechselrichtern, der Leistungselektronik sowie der Energie- und HGÜ-Technik eingesetzt we ... weiterlesen |
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ILD-Laser injection laser diode : ILD Die ILD-Laserdiode (Injection Laser Diode) ist eine Halbleiter-Laserdiode, weil sie einen speziell gedopten Übergang zwischen einer P-Schicht und einer N-Schicht für die kohärente Lichtstrahlung ben ... weiterlesen |
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intelligent power module : IPM Intelligent Power Modules (IPM) sind intelligente Versorgungskomponenten, die vor allem im Hochleistungsbereich eingesetzt werden. So in der Solar- und Windenergie, in Schienenfahrzeugen, Aufzügen u ... weiterlesen |
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ion-sensitive field effect transistor : ISFET Ionensensitiver Feldeffekttransistor Ionensensitive Feldeffekttransistoren (ISFET) sind Sensoren für chemische Lösungen. Sie basieren darauf, dass sich die elektrische Leitfähigkeit des Feldeffekttransistors (FET) durch den pH-Wert von ... weiterlesen |
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Infrarot-LED infrared LED : IR-LED Infrarot-LEDs (IR-LED) emittieren Infrarotlicht mit Wellenlängen zwischen 700 nm und 1.000 nm im Near Infrared Bereich. Dieser Infrarotbereich liegt oberhalb des sichtbaren Rotbereichs. Die wesen ... weiterlesen |
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Infrarotsensor infrared detector Ein Infrarotsensor detektiert Infrarotlicht (IR). Ein solcher Sensor besteht aus einem temperaturempfindlichen Pyrosensor aus Bleisulfid oder Lithium-Tantalat (LiTaO3), der auf Temperaturänderunge ... weiterlesen |
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junction field-effect transistor : JFET Junction-FET Der Junction Field Effect Transistor (JFET) hat einen äußerst einfachen Aufbau und einen hohen Eingangswiderstand, der geringer ist als der des MOSFET. Darin ist auch der Grund zu sehen, warum JFETs ... weiterlesen |
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Kapazitäts-Digital-Wandler capacity digital converter : CDC Capacity to DigitalConverter (CDC) ist ein Wandler, der Kapazitäten in Spannungen wandelt und auf dem Verfahren des Sigma-Delta-Wandlers basiert. Beim CDC-Verfahren tritt anstelle der unbekannten ... weiterlesen |
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Klystron klystron Klystrone werden zur Erzeugung und Verstärkung von Mikrowellen benutzt. Es handelt sich um Elektronenröhren mit Resonatoren. Ein Klystron besteht aus einem Elektrodensystem mit Kathode, die die Elek ... weiterlesen |
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light activated silicon controlled rectifier : LASCR Light Activated Silicon Controlled Rectifier (LASCR) sind durch Licht aktivierte Thyristoren (SCR), Light Activated SCRs, die auch als Light Triggered Thyristor (LTT) bezeichnet werden. Sobald das a ... weiterlesen |
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lateral diffused metal oxid semiconductor : LDMOS LDMOS-Transistor Lateral Diffused Metal Oxid Semiconductor (LDMOS) sind Leistungshalbleiter, die in HF-Leistungsverstärkern zur Verstärkung der Sendesignale im Mikrowellenbereich eingesetzt werden, u.a. in Basisst ... weiterlesen |
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light-emitting electrochemical cell : LEC Light-Emitting Electrochemical Cells (LEC), lichtemittierende elektrochemische Zellen, sind Leuchtmittel, die einfacher aufgebaut sind und kostengünstiger hergestellt werden können als Leuchtdioden ... weiterlesen |
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LED-Lebensdauer LED lifetime Die Lebensdauer von Leuchtdioden bezieht sich auf die Lichtausbeute über die Betriebsdauer. Mit der Dauer des Einsatzes reduziert sich die Lichtstärke der Leuchtdiode. Sie wird also über die Einsatz ... weiterlesen |
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light triggered thyristor : LTT Lichtgesteuerter Thyristor Ein Light Triggered Thyristor (LTT) ist ein lichtgesteuerter Schalter, ein Light-Activated Switch (LAS). LTT-Thyristoren werden durch Lichtsignale getriggert und vorwiegend in der Hochspannungstechn ... weiterlesen |
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light amplification by stimulated emission : Laser Das physikalische Phänomen des Lasers (LightAmplification by Stimulated Emission) basiert auf dem optischen Energieaustausch, der zuerst mit Gaslasern nachgewiesen werden konnte. Bei diesem Phänom ... weiterlesen |
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Laserdiode laser diode : LD Laserdioden (LD) sind Halbleiterlaser für die Optoelektronik, die in der optischen Übertragungstechnik eingesetzt werden. Sie bestehen aus dotierten Halbleiterschichten, häufig aus einem Substrat ... weiterlesen |
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Laserklasse laser class Das Gefährdungspotential von Lasern für die Gesundheit und das Augenlicht wird in Laserklassen eingeteilt. Da es Laser mit sichtbaren Wellenlängen gibt, andere mit nichtsichtbaren, sind beim Betrieb ... weiterlesen |
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Leistungshalbleiter power semiconductor Leistungshalbleiter sind Halbleiter-Bauelemente, die speziell für das Schalten von hohen Strömen und Spannungen entwickelt wurden. Während konventionelle HalbleiterStröme unter 1 A und Spannungen vo ... weiterlesen |
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Leuchtdiode light emitting diode : LED Eine Leucht- oder Lumineszenzdiode (LED) ist ein Halbleiterbauelement der Optoelektronik, das nach dem Prinzip der ElektrolumineszenzLicht emittiert. Die Elektrolumineszenzdiode wandelt durch elektr ... weiterlesen |
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MOS controlled thyristor : MCT MCT-Thyristor Wie der GTO-Thyristor ist auch der MCT-Thyristor (MOS Controlled Thyristor) ein Thyristor-Schalter, der aus dem GTO-Thyristor entwickelt wurde. Der GTO-Thyristor benötigt eine umfassendere Steuerele ... weiterlesen |
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metal semiconductor field effect transistor : MESFET Ein MESFET (Metal SemiconductorField Effect Transistor) gehört zur Gruppe der MOSFETs. Er ist ähnlich aufgebaut wie ein Junction Field-Effect Transistor (JFET). Der Unterschied zwischen beiden bes ... weiterlesen |
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metal insulator semiconductor field effect transistor : MISFET MOSFETs gibt es in verschiedenen Varianten wie den Metal Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET), Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor (MISFET), Junction Field-Effect Transisto ... weiterlesen |
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monolithic microwave integrated circuit : MMIC Wie aus der Bezeichnung MonolithicMicrowaveIntegrated Circuit (MMIC) hervorgeht, handelt es sich um ein monolithische Technologie mit denen integrierte Mikrowellenschaltungen hergestellt werden könn ... weiterlesen |
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metal oxide semiconductor field effect transistor : MOSFET MOS-Feldeffekttransistor MOSFET, Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor, beschreibt einen Feldeffekttransistor in MOS-Technologie. Mit der MOS-Technologie können Transistoren hergestellt werden deren Steuerelektro ... weiterlesen |
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Magnetron magnetron Magnetrone sind elektronische Bauelemente für die Generierung von Mikrowellen. Es handelt sich um Vakuumröhren, bestehend aus Kathode, Hohlraumresonatoren und Anode, die von einem Permanentmagneten ... weiterlesen |
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Micro-LED micro LED : MLED Micro-LEDs, die auch unter den Bezeichnungen µLEDs, Mikro-LEDs, MLEDs oder mLEDs bekannt sind, sind mikroskopisch kleine LEDs aus Indiumgalliumnitrid (InGaN). Sie werden auf konventionellen Wafern a ... weiterlesen |
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multiple gate field effect transistor : MuGFET Multiple Gate Field Effect Transistor (MuGFET) ist eine spezielle Ausführung an MOSFETs, mit mehr als einem Gate. Ein bekannter Vertreter dieser Mehrfach-Gate-Feldeffekttransistoren ist der FinFET m ... weiterlesen |
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organic FET : OFET Organischer Feldeffekttransistor Organische Feldeffekttransistoren (OFET) haben die gleichen Elektroden mit den gleichen Bezeichnungen wie anorganische, auf Silizium basierende Feldeffekttransistoren (FET), nämlich die Source, die ... weiterlesen |
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optical integrated circuit : OIC Optische integrierte Schaltung : OIS Ein Optical Integrated Circuit (OIC) ist eine integrierte Schaltung von optischen Komponenten auf einem Substrat. In den Anfangsjahren der OIC-Entwicklung, die in die 60er Jahre zurückreicht, wurden h ... weiterlesen |
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organic light emitting diode : OLED Organic Light Emitting Diode (OLED) ist eine Weiterentwicklung der Leuchtdiode (LED) für die Display-Technik. Im Unterschied zu LEDs bestehen die farbig selbstleuchtenden OLEDs aus organischen Halbl ... weiterlesen |
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Organischer Transistor organic transistor Organische Transistoren bzw. organische Feldeffekttransistoren sind Produkte der Polymerelektronik. Bestimmten Kunststoffen können durch Dotierung die Eigenschaften von Leitern, Halbleitern und Ni ... weiterlesen |
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power conversion efficiency : PCE Power Conversion Efficiency (PCE) ist ein Kennwert von Solarzellen und Leuchtdioden, in dem sich die Energieeffizienz ausdrückt. Der PCE-Wert ergibt sich aus dem Verhältnis der Ausgangsleistung zur ... weiterlesen |
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phosphorescent organic light emitting diode : PHOLED Phosphorescent Organic Light Emitting Diode (PHOLED) sind phosphoreszierende OLEDs, die wie alle anderen OLEDs auf der Lichtemission von organischen Halbleitern basieren. PHOLEDs haben eine höhere L ... weiterlesen |
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polymer light emitting diode : PLED Polymer Light Emitting Diode (PLED) sind wie Light Emitting Polymer (LEP) oder Organic Light Emitting Diodes (OLED) farbig leuchtende auf Polymeren basierende Komponenten für Displays. PLEDs haben ... weiterlesen |
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passive matrix OLED : PMOLED Im Gegensatz zu den Active Matrix OLEDs (AMOLED) haben Passive Matrix OLEDs (PMOLED) keine Dünnschichttransistoren für die Aktivierung. Die einzelnen Elektroden der PMOLEDs - die Anode, die organisc ... weiterlesen |
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plastic OLED : POLED Klassische OLEDs benutzen ein Substrat aus Glas auf dem die Schichten aufgebracht werden. Da Glas fest und starr ist, kann es nicht an gewünschte Formfaktoren angepasst werden. Aus diesem Grund wird ... weiterlesen |
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Photomultiplier photo multiplier : PMT Photomultiplier, Photo Multiplier (PMT), sind hochempfindliche Lichtsensoren, die mit Sekundärelektronenvervielfacher (SEV) arbeiten und kleinste Lichtsignale in elektrische Spannungen umwandeln. D ... weiterlesen |
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Pumplaser pump laser Ein Pumplaser ist ein Laser, der einen Pumpstrahl erzeugt, mit dem das Energieniveau der Bandlücke von Halbleiterlasern überbrückt werden kann. Damit ein Halbleiterlaser einen Lichtstrahl erzeuge ... weiterlesen |
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resonant cavity LED : RC-LED Die Resonant Cavity LED (RC-LED) ist eine Leuchtdiode, die mit einem Resonanzkörper arbeitet und sich gegenüber der normalen Leuchtdiode durch eine geringere spektrale Bandbreite auszeichnet. Die R ... weiterlesen |
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Raumladungszone : RLZ depletion region Die Raumladungszone (RLZ) ist der Bereich, der sich im pn-Übergang zwischen zwei unterschiedlich dotierten Halbleitern aufbaut: einem positiv dotiertem und einem negativ dotiertem. Dieser Bereich wird ... weiterlesen |
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super barrier rectifier : SBR SBR-Diode Super Barrier Rectifier (SBR) sind Dioden, die sich durch eine äußerst niedrige Durchlassspannung und Verlustleistung auszeichnen. Sie werden in Gleichrichtern eingesetzt und vertragen im Gegensatz ... weiterlesen |
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silicon controlled switch : SCS Der Silicon Controlled Switch (SCS) ist ein Vierschicht-Bauelement, vergleichbar einem Thyristor oder dem GTO-Thyristor. Im Unterschied dazu hat der SCS-Thyristor zwei steuerbare Gate-Anschlüsse, ... weiterlesen |
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static induction transistor : SIT Der Static InductionTransistor (SIT) ist ein leistungsstarker Transistor. Der SIT-Transistor hat durch seinen Aufbau eine sehr geringe Gate-Kapazität und einen geringen Gate-Reihenwiderstand und wei ... weiterlesen |
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super junction MOSFET : SJ-MOSFET Super Junction MOSFETs (SJ-MOSFET) sind Hochleistungs-MOSFETs, die für die Schaltung von höheren Leistungen und Spannungen ausgelegt sind und in Spannungsumformern eingesetzt werden. Im Gegensatz ... weiterlesen |
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super junction transistor : SJT SJT-Transistor Super Junction Transistoren (SJT) sind stromgesteuerte Leistungstransistoren für Spannungen bis 10 kV und darüber. Bedingt durch ihre geringe Gate-Kapazität haben SJT-Transistoren extrem kurze Schal ... weiterlesen |
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superluminescent diode : SLD Superlumineszenzdiode Superlumineszenzdioden (SLD oder SLED) sind breitbandige Halbleiterkomponenten, die mit einer Amplified Spontaneous Emission (ASE) arbeiten. Der Effekt der verstärkten spontanen Emission tritt übera ... weiterlesen |
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SMD-LED SMD LED SMD-LEDs sind kleine, kompakte Leuchtdioden, die mittels SMT-Technik (Surface Mounted Technology) in Oberflächenmontage direkt auf gedruckte Leiterplatten montiert werden können. SMD-LEDs sind re ... weiterlesen |
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small molecule OLED : SMOLED Bei der Entwicklung von Organic Light Emitting Diodes (OLED) werden zwei unterschiedliche Materialtechnologien verfolgt: Die eine arbeitet mit kleinsten Molekülen und nennt sich Small Molecules OLED ... weiterlesen |
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safe operating area : SOA Die Safe Operating Area (SOA) ist der sichere Arbeitsbereich in dem Halbleiterbauelemente ohne Beschädigung betrieben werden können. Der SOA-Bereich spielt vorwiegend bei Leistungshalbleitern, bei M ... weiterlesen |
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stacked OLED : SOLED Die SOLED-Technologie ist eine Display-Technik, die sich von der Anordnung der Organic Light Emitting Diodes (OLED), gegenüber anderen OLED-Diplays unterscheidet. Bei der Stacked-OLED-Technologie s ... weiterlesen |
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small outline transistor : SOT SOT-Package Das SOT- oder SO-Gehäuse (Small OutlineTransistor) ist das Standardgehäuse für Dioden und Transistoren. Es wurde bereits in den 70er Jahren für die SMT-Technik entwickelt und in der Konsumelektron ... weiterlesen |
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solid state lighting : SSL SSL-Beleuchtung Die Bezeichnung Solid State Lighting (SSL) ist der Oberbegriff für alle Leuchtkomponenten, die auf Halbleiterbasis arbeiten und infolge von ElektrolumineszenzLicht emittieren. Zu den SSL-Komponenten ... weiterlesen |
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thin-film encapsulation : TFE Die Dünnfilmverkapslung, Thin Film Encapsulation (TFE), ist eine Technologie mit der elektronische Bauelemente wie OLEDs vor äußeren Einflüssen, vor Staub, Wasser, Luft und Feuchtigkeit geschützt werd ... weiterlesen |
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transistor outline : TO TO-Package Das TO-Package, TO steht für Transistor Outline, ist eines der ersten standardisierten Transistorgehäuse. Die Vereinheitlichung der Packageformate hat zur Kostensenkung und zu verbesserten Bestückun ... weiterlesen |
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transparent OLED : TOLED Im Unterschied zu Standard-OLEDs sind bei transparenten OLEDs (TOLED) alle Schichten - das Substrat, die Anode, die Löcher transportierenden Schichten, die emittierende Polymerschicht und die Kathod ... weiterlesen |
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triode alternating current switch : TRIAC Ein TRIAC (Triode Alternating CurrentSwitch) ist ein elektronisches Bauelement, das einer Parallelschaltung zweier Thyristoren entspricht, von denen einer allerdings in gegengesetzte Richtung gescha ... weiterlesen |
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Thyristor silicon controlled rectifier : SCR Der Thyristor (SCR), auch Vierschichtdiode, Thyristordiode, Kippdiode oder Silicon Controlled Rectifier (SCR) genannt, ist ein Halbleiterbauelement, das als elektronischer Schalter eingesetzt wird. ... weiterlesen |
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Transistor bipolar junction transistor : BJT Transistoren sind aktive elektronische Halbleiterbauelemente, die in Verstärkern, Repeatern, Transpondern und anderen Netz- und Übertragungskomponenten eingesetzt werden; aber auch in Mikroprozessor ... weiterlesen |
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Transparenter Halbleiter transparent semiconductor Transparente Halbleiter bestehen aus durchsichtigen elektronischen Komponenten. Da klassische Halbleitermaterialien wie Silizium und Germanium undurchsichtig sind, haben sich bei der Forschung na ... weiterlesen |
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ultra high brightness LED : UHB-LED Die Bezeichnung Ultra High Brightness (UHB) wird für extrem hell leuchtende Leuchtdioden, TFT-Displays und LED-Displays benutzt. Bei den UHB-LEDs handelt sich um Power-LEDs mit hohem Lichtstrom, d ... weiterlesen |
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UV-Leuchtdiode ultraviolet light emitting diode : UV-LED UV-Leuchtdioden (UV-LED) leuchten ultraviolett. Der UV-Bereich ist nach DIN 5031 unterteilt in die Wellenlängenbereiche UV-A mit Wellenlängen zwischen 315 nm und 380 nm, UV-B zwischen 280 nm und 315 ... weiterlesen |
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Ultraschallschweißen Das Ultraschallschweißen (US-Schweißen) ist eine Verbindungstechnik, die u.a. in der Leistungselektronik bei Leistungshalbleitern eingesetzt wird. Da Lötverbindungen mit Weichlot den gestiegenen B ... weiterlesen |
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vertical cavity surface emitting laser : VCSEL VCSEL-Laser VCSEL-Laser (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) gehören zu den oberflächenemittierenden Lasern. Es sind kleine Hochleistungslaser, die in der optischen Übertragungstechnik und in optischen Spei ... weiterlesen |
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Verbindungshalbleiter compound semiconductor Verbindungshalbleiter, Compound Semiconductors, unterscheiden sich von den Elementarhalbleitern dadurch, dass sie aus zwei oder mehr chemischen Verbindungen von verschiedenen chemischen Elementen be ... weiterlesen |
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Verzögerungsleitung delay line Verzögerungsleitungen sind elektronische Komponenten mit denen Signale um eine bestimmte Zeit verzögert werden können. Sie werden überall dort eingesetzt, wo Signale mit Phasenverschiebungen oder Ve ... weiterlesen |
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wide bandgap semiconductor : WBG Wide-Bandgap-Halbleiter Wide Bandgap Semiconductors (WBG) sind Halbleiter mit großer Bandlücke. Der Energieabstand der Bandlücke zwischen Valenzband und Leitungsband liegt bei diesen Verbindungshalbleitern zwischen 2 Ele ... weiterlesen |
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white LED : WLED Weiße LED Die Spektralcharakteristiken von Leuchtdioden (LED) haben bei bestimmten Farben ihr Maximum. Das können die Farben Rot, Grün oder Orange sein, aber nicht Weiß. Das für Weiß erforderliche breite We ... weiterlesen |
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white organic light emitting diode : WOLED Organic Light Emitting Diodes (OLED) sind eine Weiterentwicklung der Leuchtdioden (LED), bestehen aber im Gegensatz zu diesen aus organischen Halbleitern. OLEDs emittieren einfarbiges Licht. Da in d ... weiterlesen |
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Wanderwellenröhre travelling wave tube : TWT Wanderwellenröhren, Travelling Wave Tube (TWT), oder Wanderfeldröhren sind Laufzeitröhren und werden zur Verstärkung von Mikrowellen verwendet und in Satelliten zur Signalverstärkung eingesetzt. Ein ... weiterlesen |
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Zhaga Zhaga ist ein 2010 initiiertes Konsortium, das sich um die Belange der LED-Beleuchtung und deren Vereinheitlichung kümmert. Es ist weltweit aktiv und hatte Ende 2012 bereits über 200 Mitgliedsfirmen ... weiterlesen |
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Zweifarbige LED bi-color LED Zweifarbige LEDs sind die gleichen Leuchtdioden wie einfarbige, mit dem Unterschied, dass in einem Gehäuse zwei LEDs mit verschiedenen Farben untergebracht sind. Sie haben die gleichen Charakteristi ... weiterlesen |
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carbon dioxide laser Kohlendioxid-Laser Kohlendioxid-Laser, CO2-Laser, sind molekulare Gaslaser, deren Verstärkung auf einem Gasgemisch aus Kohlendioxid (CO2), Helium (He), Stickstoff (N2) und Wasserstoff (H2) basiert. Ein CO2-Laser ist ... weiterlesen |