Heterojunction-Feldeffekttransistoren (HFET) haben vergleichbare Eigenschaften wie MESFETs. Sie werden in der Mikrowellentechnik und in digitalen High-Speed-Schaltkreisen eingesetzt.
HFETs zeichnen sich dadurch aus, dass die Elektronenbeweglichkeit in der Nähe der Grenzschicht zwischen zwei Halbleitern durch unterschiedliche Bandlücken erhöht werden kann. Bei den Heterojunction-Feldeffekttransistoren wird der Kanal durch die Bandlücke als durch die Elektronenaffinität gebildet. Durch die extrem kurzzeitigen Änderungsgeschwindigkeiten werden HFETs für Schalter und rauscharme HF-Verstärker eingesetzt. Als Halbleitermaterial benutzen HFETs Aluminium Gallium Arsenide ( AlGaAs) und Gallium-Arsenid ( GaAs).